Микроэлектроника
Dosilicon MCP and DDR3(L) memory
东芯半导体 / Dosilicon →Комбинированные MCP и DRAM-продукты Dosilicon: NAND Flash плюс LPDDR1/LPDDR2/LPDDR4X в одном корпусе, а также DDR3(L) SDRAM для сетевой и потребительской электроники.
Ключевые фишки
- ✓ MCP сочетает NAND Flash и DDR в одном package для экономии места и упрощения разводки.
- ✓ MCP: Flash 1/2/4/8/16 Gb и LPDDR 512 Mb/1/2/4/8/16 Gb, напряжение 1.8 V.
- ✓ DDR3(L): 1/2/4 Gb, 1.5/1.35 V, 800/933/1066 MHz, FBGA96.
Характеристики
Категория Микроэлектроника
Mcp Flash Density 1 Gb; 2 Gb; 4 Gb; 8 Gb; 16 Gb
Mcp Dram Density 512 Mb; 1 Gb; 2 Gb; 4 Gb; 8 Gb; 16 Gb
Mcp Dram Types LPDDR1; LPDDR2; LPDDR4X
Ddr3 Density 1 Gb; 2 Gb; 4 Gb
Ddr3 Voltage 1.5 V; 1.35 V
Источники
- 东芯半导体股份有限公司_可搜索.pdf, стр. 2
- 东芯半导体股份有限公司_可搜索.pdf, стр. 6
- 东芯半导体股份有限公司_可搜索.pdf, стр. 7
- dosilicon.com
Из каталога
